网通院成功研制高性能频率综合器芯片
来源：新闻中心
发布时间：2023年12月15日 编辑：新闻中心
近日，网通院成功研制高性能频率综合器芯片。
此款芯片可在多种应用领域中使用，是提升系统整体性能的关键“存在”。该芯片降低了频率综合器的相位噪声，扩大了频率输出范围，频率覆盖到C波段，可满足高性能应用系统的要求。
研发过程中，设计团队通过小组讨论、查阅文献、模拟仿真相结合的方式扎实攻关；面对庞大工作量，团队成员分工协作、优化流程、迎难而上，保证项目顺利通过电路和版图的仿真验证，按时交付。目前，该芯片已完成系统全面测试验证，各项性能全部达标，且在某接收前端设备中成功使用，运行稳定。
（来源/网通院 曹纯）
